[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200510109071.6 | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1953231A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 胡文平;李洪祥;汤庆鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体管，包括一作为栅极的基板，一位于基板上的绝缘层，一位于绝缘层上的源电极和漏电极，其中，在源电极和漏电极电极间设有一有机半导体单晶微/纳米材料，其两端通过二相互间隔的金属膜与源电极和漏电极连接，二金属膜间距为5－20微米。本发明的有机场效应晶体管具有迁移率高而阈值电压低的优良特性，所采用的制备方法具有如下优点：1)整个过程中没有使用有机溶剂，避免了对纳米材料表面的破坏；2)所需设备相对简单，避免了高能粒子对纳米线的辐照和破坏；3)能够制备出规格可控的器件；4)能够控制场效应晶体管的结构并形成良好的电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机场效应晶体管，包括一作为栅极的基板，一位于基板上的绝缘层，一位于绝缘层上的源电极和漏电极，其特征在于：在所述源电极和漏电极电极间设有一有机半导体单晶微/纳米材料连接结构，所述连接结构两端通过二相互间隔的金属膜与所述源电极和漏电极连接，二金属膜间距为5-20微米。
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