[发明专利]制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法无效

专利信息
申请号: 200510108811.4 申请日: 2005-09-30
公开(公告)号: CN1942023A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 林弘毅;周尧天;刘娉婷 申请(专利权)人: 探微科技股份有限公司
主分类号: H04R31/00 分类号: H04R31/00;B81C1/00;H01L21/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种制作微型麦克风装置及其热氧化层与低应力结构层的方法。所述方法包括:提供基底,并在基底的正面形成多个沟槽。接着在沟槽的内壁与基底的正面形成热氧化层并填满沟槽。之后在热氧化层上形成第一结构层,且在第一结构层中注入掺杂,再在第一结构层上形成第二结构层,并进行退火工艺,以降低第一结构层与第二结构层的应力。随后定义第一结构层与第二结构层的图案,以形成多个隔膜。最后将第二结构层固定于承载基底上,并利用深蚀刻技术在基底的背面形成多个对应隔膜的腔体,且腔体具有垂直的侧壁,并暴露出部分的第一结构 层。
搜索关键词: 制作 微型 麦克风 装置 及其 氧化 应力 结构 方法
【主权项】:
1、一种制作微型麦克风装置的方法,包含有:提供基底;在所述基底的正面形成多个沟槽;进行热氧化工艺,在所述沟槽的内壁与所述基底的所述正面形成热氧化层,且所述热氧化层填满所述沟槽;在所述热氧化层上形成第一结构层;在所述第一结构层中注入多个掺杂;在所述第一结构层上形成第二结构层;进行退火工艺,以降低所述第一结构层与所述第二结构层的应力;以及将所述第二结构层固定于承载基底上,并利用深蚀刻技术在所述基底的背面形成多个对应所述隔膜的腔体,所述腔体具有垂直的侧壁,且所述腔体暴露出部分的所述第一结构层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于探微科技股份有限公司,未经探微科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510108811.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top