[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108757.3 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1763950A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 稻叶聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有能够抑制短沟道效应的结构、可以控制阈值电压、电流驱动力优异、能够高速动作的多翅片FET，包括：在半导体衬底上设置的源区和漏区；与所述源区和漏区连接的多个翅片；设置在所述半导体衬底上方，设置在所述各翅片一个侧面侧的第一栅电极；设置在所述半导体衬底上方，相对于所述翅片与所述第一栅电极对置，设置在所述各翅片另一个侧面侧，与所述第一栅电极分离的第二栅电极；与所述各个第一栅电极连接的多个第一焊盘电极；与所述多个第一焊盘电极连接的第一布线；与所述各个第二栅电极连接的多个第二焊盘电极；与所述多个第二焊盘电极连接的第二布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括；在半导体衬底上设置的源区和漏区；与所述源区和漏区连接的多个翅片；第一栅电极，设置在所述半导体衬底上方，设置在所述各翅片一个侧面侧；第二栅电极，设置在所述半导体衬底上方，相对于所述翅片与所述第一栅电极对置，设置在所述各翅片另一个侧面侧，与所述第一栅电极分离；与所述各个第一栅电极连接的多个第一焊盘电极；与所述多个第一焊盘电极连接的第一布线；与所述各个第二栅电极连接的多个第二焊盘电极；与所述多个第二焊盘电极连接的第二布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
