[发明专利]光学装置无效
申请号: | 200510108590.0 | 申请日: | 2005-10-10 |
公开(公告)号: | CN1779983A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 南尾匡纪;藤井荣造;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/00;H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的光学装置100,包括:形成实质垂直延伸贯通的开口部2的装置衬底10,覆盖开口部2的第1开口3的透光性构件6,覆盖开口部2的第2开口4并在与透光性构件6相对的面形成发射光或接收光的光学元件的光学元件芯片5,一部分埋入衬底10并具备与光学装置电性连接的第1端子部12a及与布线衬底电性连接的第2端子部13的导电部14,以及密封光学装置与第1端子部12a的电性连接部的密封剂7。并且,第1开口3的开口轮廓形状对第1开口3的大致中心点3b是非点对称。 | ||
搜索关键词: | 光学 装置 | ||
【主权项】:
1.一种光学装置,其特征在于:包括:形成有对表面实质垂直延伸且贯通的开口部的装置衬底,覆盖所述开口部的第1开口的透光性构件,覆盖所述开口部的第2开口并在与所述透光性构件相对的面形成发射光或接收光的光学元件的光学元件芯片,一部分被埋入所述装置衬底内并具备与所述光学元件电性连接的第1端子部及与布线衬底电性连接的第2端子部的导电部,以及密封所述光学元件及所述第1端子部的电性连接部的密封剂;所述第1开口的开口轮廓形状对该第1开口的大致中心点是非点对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的