[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510108588.3 | 申请日： | 2005-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1761062A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 中林隆;新井秀幸;大塚隆史;矢野尚 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/3205;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体装置的制造方法，在第2层间绝缘膜(14)内形成槽(42)后，形成覆盖槽(42)的侧面及底面的存储电极(16)。在存储电极(16)之上形成电容绝缘膜(17)；在电容绝缘膜(17)之上，通过反复进行400摄氏度以下的低温的CVD法使用氨的退火，从而形成TiOxNY膜(19)。在TiOxNY膜(19)上形成TiN膜(20)，再以TiOxNY膜(19)为掩模，对TiN膜(20)进行腐蚀。然后，除去露出的TiOxNY膜(19)，从而形成由TiOxNY膜(19)及TiN膜(20)构成的板式电极(25)。能抑制DRAM区和逻辑区之间的层间绝缘膜的阶差的发生，而且能够更正确地调整板式触点的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具备具有下述部件的电容器：存储电极；设置在所述存储电极之上的电容绝缘膜；以及设置在所述电容绝缘膜之上，具有第1导体膜和配置在所述第1导体膜之上且腐蚀速率与所述第1导体膜不同的第2导体膜的板式电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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