[发明专利]三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜无效
| 申请号： | 200510108383.5 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1763049A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 松原政信;岛田健;西川直宏;门田阳一 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C07F5/00 | 分类号： | C07F5/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三甲基镓以及一种制造该三甲基镓的方法。该三甲基镓具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量；且该方法包括：水解作为原材料的三甲基铝；以一溶剂萃取所含有的有机硅化合物；藉由气相色谱－质谱法对甲基三乙基硅烷进行定量；选择具有小于0.5ppm甲基三乙基硅烷含量的三甲基铝作为原材料；藉由蒸馏进行提纯；接着与氯化镓反应；并且随后蒸馏反应物溶液以获得三甲基镓。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 制造 方法 以及 成长 氮化 薄膜 | ||
【主权项】：
1、一种三甲基镓，其特征在于其具有小于0.1ppm的总有机硅化合物含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510108383.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在按键电话系统中执行群组呼叫处理的系统和方法
- 下一篇：固态能量转换器
