[发明专利]用于制造半导体器件的电容器的方法有效
| 申请号： | 200510107620.6 | 申请日： | 2005-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1790610A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 崔亨福;朴钟范;李起正;李钟旼 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造半导体器件的电容器的方法，其包括在半导体衬底上形成具有贮存节点插塞的第一绝缘层；在具有第一绝缘层的衬底上顺序形成蚀刻停止层和第二绝缘层；通过利用蚀刻停止层来选择性地蚀刻第二绝缘层，形成暴露贮存节点插塞的一部分的孔；使被孔暴露的贮存节点插塞的一部分凹进；在凹进的贮存节点插塞的表面上形成阻挡金属层；在孔内形成贮存节点电极，其经由阻挡金属层连接到贮存节点插塞；以及在贮存节点电极上顺序形成介电层和用于极板电极的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的电容器的方法，包括步骤：在半导体衬底上形成具有贮存节点插塞的第一绝缘层；在具有该第一绝缘层的该衬底上顺序形成蚀刻停止层和第二绝缘层；通过利用该蚀刻停止层来选择性地蚀刻该第二绝缘层，形成暴露该贮存节点插塞的一部分的孔；使被该孔暴露的该贮存节点插塞的一部分凹进；在该凹进的贮存节点插塞的表面上形成阻挡金属层；在该孔内形成贮存节点电极，其经由该阻挡金属层连接到该贮存节点插塞；以及在该贮存节点电极上顺序形成介电层和用于极板电极的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
