[发明专利]水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510107082.0 | 申请日： | 2001-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1770469A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 申镇国;金圭兑;郑珉在;尹尚帅;韩荣洙;李在恩 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李涛;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 揭示了一种水平生长碳纳米管的方法，其中可以在形成有触媒的基底上的特定位置在水平方向选择性地生长碳纳米管，该方法可用于制造纳米器件。该方法包括以下步骤：(a)在第一基底上形成预定触媒图形；(b)在第一基底上形成垂直生长防止层，该防止层防止碳纳米管在垂直方向生长；(c)通过垂直生长防止层和第一基底形成多个小孔，以通过小孔露出触媒图形；(d)在触媒图形的暴露表面上合成碳纳米管以便在水平方向生长碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 生长 纳米 方法 使用 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括源极，漏极，以及源极和漏极之间的碳纳米管桥，碳纳米管桥由源极和漏极之间在水平方向生长的碳纳米管形成，使得场效应晶体管可以控制电子的流动。
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