[发明专利]光掩模图案的校正方法及其形成方法无效
| 申请号: | 200510107021.4 | 申请日: | 2005-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN1940715A | 公开(公告)日: | 2007-04-04 |
| 发明(设计)人: | 萧立东 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027;G06F17/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种光掩模图案的校正方法,其先提供已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案的测试光掩模。然后,将测试光掩模上的原始图案转移至第一光致抗蚀剂层,以对应形成多个第一显影后图案,并量测其第一尺寸。接着,对第一显影后图案进行图案微缩工艺,以对应形成多个第一微缩后图案,并量测其第二尺寸。继之,计算第一尺寸与第二尺寸的偏差值,并收集原始绘图数据、第一尺寸、第二尺寸及偏差值以得到一数据库。随后,利用数据库的数据以建立光学邻近效应修正模型。接着,根据光学邻近效应修正模型对原始绘图数据进行校正,以得到校正后绘图数据。 | ||
| 搜索关键词: | 光掩模 图案 校正 方法 及其 形成 | ||
【主权项】:
1、一种光掩模图案的校正方法,包括:提供一测试光掩模,该测试光掩模上已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案;将该测试光掩模上的该些原始图案转移至一第一光致抗蚀剂层,以对应形成多个第一显影后图案,并量测每一该些第一显影后图案的一第一尺寸;对该些第一显影后图案进行一图案微缩工艺,以对应形成多个第一微缩后图案,并量测每一该些第一微缩后图案的一第二尺寸;计算每一该些第一尺寸与其对应的每一该些第二尺寸的一偏差值,并收集该原始绘图数据、该些第一尺寸、该些第二尺寸及该些偏差值以得到一数据库;利用该数据库的数据以建立一光学邻近效应修正模型;以及根据该光学邻近效应修正模型对该原始绘图数据进行校正,以得到一校正后绘图数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶半导体股份有限公司,未经力晶半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510107021.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有导流结构的电子产品与其导流结构的制作方法
- 下一篇:胞磷胆碱钠的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





