[发明专利]光掩模图案的校正方法及其形成方法无效

专利信息
申请号: 200510107021.4 申请日: 2005-09-27
公开(公告)号: CN1940715A 公开(公告)日: 2007-04-04
发明(设计)人: 萧立东 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: G03F1/00 分类号: G03F1/00;G03F7/20;H01L21/027;G06F17/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光掩模图案的校正方法,其先提供已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案的测试光掩模。然后,将测试光掩模上的原始图案转移至第一光致抗蚀剂层,以对应形成多个第一显影后图案,并量测其第一尺寸。接着,对第一显影后图案进行图案微缩工艺,以对应形成多个第一微缩后图案,并量测其第二尺寸。继之,计算第一尺寸与第二尺寸的偏差值,并收集原始绘图数据、第一尺寸、第二尺寸及偏差值以得到一数据库。随后,利用数据库的数据以建立光学邻近效应修正模型。接着,根据光学邻近效应修正模型对原始绘图数据进行校正,以得到校正后绘图数据。
搜索关键词: 光掩模 图案 校正 方法 及其 形成
【主权项】:
1、一种光掩模图案的校正方法,包括:提供一测试光掩模,该测试光掩模上已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案;将该测试光掩模上的该些原始图案转移至一第一光致抗蚀剂层,以对应形成多个第一显影后图案,并量测每一该些第一显影后图案的一第一尺寸;对该些第一显影后图案进行一图案微缩工艺,以对应形成多个第一微缩后图案,并量测每一该些第一微缩后图案的一第二尺寸;计算每一该些第一尺寸与其对应的每一该些第二尺寸的一偏差值,并收集该原始绘图数据、该些第一尺寸、该些第二尺寸及该些偏差值以得到一数据库;利用该数据库的数据以建立一光学邻近效应修正模型;以及根据该光学邻近效应修正模型对该原始绘图数据进行校正,以得到一校正后绘图数据。
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