[发明专利]快闪存储器与其制造方法

摘要

一种快闪存储单元的制造方法。首先于基底上形成图案化的掩模层。然后，以图案化的掩模层为掩模，蚀刻基底，以于基底中形成沟槽。接着，于沟槽的两侧壁上形成二电荷储存层，二电荷储存层相隔一距离，并曝露部分沟槽底部的基底。电荷储存层的材料包含氧化铪纳米晶体。继之，于沟槽底部的基底中形成第一掺杂区。之后，于基底上形成填满该沟槽的第一导体层，接着移除掩模层。然后，于第一导体层二侧边的基底中形成二个第二掺杂区。由于电荷储存层的材料为氧化铪纳米晶体层，可减小存储单元的尺寸，并增进存储单元的效能。

主权项

1、一种快闪存储单元，包括：一基底，该基底中具有一沟槽；一第一导体层，设置于该基底上，并填满该沟槽；二电荷储存层，设置于该沟槽的两侧壁，且位于该第一导体层与该基底之间，该二电荷储存层相隔一距离，该二电荷储存层的材料包含氧化铪纳米晶体；一第一掺杂区，设置于该沟槽底部的该基底中，且位于该二电荷储存层之间；以及二第二掺杂区，设置于该第一导体层两侧的该基底中。