[发明专利]沟渠电容及存储单元的制作方法

摘要

一种制作沟渠电容及存储单元的方法，提供一衬底，于该衬底内形成一栅状的浅沟隔离以及多个由硬掩模层覆盖的有源区域。接着于该衬底上形成一光致抗蚀剂，利用一仅具X方向考量的初阶光掩模，于该光致抗蚀剂上定义出本发明所需的图案。利用该硬掩模层及该浅沟隔离作为一掩模，向下蚀刻出多个深沟渠，进行后续工艺完成沟渠电容与存储单元的制作。

主权项

1.一种制作沟渠电容的方法，包括以下步骤：提供一衬底，该衬底上具有一栅状浅沟隔离以及多个由该浅沟隔离隔离的有源区域，且该些有源区域表面分别覆盖有一硬掩模层；于该衬底上形成多条平行的光致抗蚀剂，覆盖该浅沟隔离及各该硬掩模层的部分区域，以于任两相邻的该些光致抗蚀剂间的各该有源区域中分别定义出一沟渠的位置；利用该些光致抗蚀剂及该些浅沟隔离作为掩模来蚀刻该些硬掩模层；去除该些光致抗蚀剂；利用该些浅沟隔离及该些硬掩模层作为掩模来蚀刻该衬底，以于各该有源区域中分别形成一沟渠；以及于该些沟渠内分别形成扩散区域、一介电层及一电容下电极。