[发明专利]用于半导体器件制造的掩模图形及其相关方法和结构无效
| 申请号： | 200510106920.2 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1752844A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 夏政焕;金贤友;畑光宏;禹相均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/075;G03F7/09 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 形成集成电路器件的方法可以包括在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，通过抗蚀剂图形的开口露出部分层。在抗蚀剂图形上可以形成有机－无机混合硅氧烷网状薄膜。然后通过抗蚀剂图形和有机－无机混合硅氧烷网状薄膜露出的部分层可以被除去。也论述了相关结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 图形 及其 相关 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路器件的方法，该方法包括：在集成电路器件层上形成抗蚀剂图形，其中通过抗蚀剂图形的开口露出部分层；以及在抗蚀剂图形上形成有机-无机混合硅氧烷网状薄膜。
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