[发明专利]具有自对准体的半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200510106912.8 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1767213A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 郑载勋;林勋;郑舜文;赵厚成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括体区，该体区具有：源区、漏区、插在源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区。在沟道区和体区上形成栅极图形，而且体接触使栅极图形连接到体区。体区延伸部分的侧壁自对准栅极图形的侧壁。还公开了用于形成具有自对准体和体接触的半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：源区和漏区、插入源区与漏区之间的沟道区以及从该沟道区的端部开始延伸的体区延伸部分；栅极图形，位于沟道区和体区上；以及接触，使栅极图形连接到体区，其中体区延伸部分的侧壁对准栅极图形的侧壁。
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