[发明专利]功能膜的制造方法、薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510106871.2 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1755897A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 傅田敦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种功能膜的制造方法，其特征在于，包括：将含有熔点为900℃以上且使粒径为30nm～150nm时的熔点为255℃以上的金属和金属氧化物材料作为溶质的第1油墨配置于基板(P)上的工序、在已配置的第1油墨上配置含有金属有机盐作为溶质的第2油墨X2的工序。由此，本发明提供与烧成温度无关、即使在将烧成温度设定为低温的情况下膜表面的平坦性和膜的致密性也良好且可以充分确保需要的膜特性的功能膜的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功能 制造 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功能膜的制造方法，其特征在于，包括：将含有主体的熔点为900℃以上且使粒径为30nm～150nm时的熔点为255℃以上的金属和金属氧化物材料作为溶质的第1油墨配置于基板上的工序、在已配置的第1油墨上配置含有金属有机盐作为溶质的第2油墨的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
