[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200510106863.8 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1755916A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 梅本光雄;龟山工次郎;铃木彰 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/12;H01L23/48;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法。在具有贯通电极的半导体装置中，防止保护膜及绝缘膜的剥离，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(100)的角部形成用于防止绝缘膜(17)、保护层(23)的剥离的剥离防止层(30)。剥离防止层(30)配置于角部以外的半导体装置(10)的空隙例如球状导电端子(24)之间，从而进一步提高剥离防止效果。其剖面结构在形成于半导体衬底(10)背面的绝缘膜(17)上形成剥离防止层(30)，覆盖该绝缘膜(17)及剥离防止层(30)形成由抗焊料剂等构成的保护层(23)。在剥离防止层(30)利用电解镀敷法形成时，具有由势垒籽晶层(20)和上层的铜层(25)构成的层积结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；焊盘电极，其介由第一绝缘膜形成于所述半导体衬底的表面；通孔，其贯通所述半导体衬底并到达所述焊盘电极；第二绝缘膜，其覆盖所述通孔的侧壁及半导体衬底的背面；贯通电极，其形成于所述通孔之中，且与所述焊盘电极连接；剥离防止层，其形成于所述第二绝缘膜上；保护层，其覆盖所述贯通电极、所述第二绝缘膜及所述剥离防止层。
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