[发明专利]瓶型沟渠的形成方法无效
| 申请号： | 200510106791.7 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1949460A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈全基;苏扬尧 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种瓶型沟渠(bottle－shaped trench)的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底。于该半导体衬底中形成一沟渠。在该沟渠中形成一离子注入掩模层，露出该沟渠的上部侧壁表面。对上部侧壁表面进行一抑制氧化的离子注入工艺。去除该离子注入掩模层，露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面。进行一热氧化工艺，使沟渠的表面形成一氧化层，其中上部侧壁表面上的氧化层厚度远小于下部侧壁表面以及底部表面的氧化层厚度。并且移除氧化层，而形成该瓶型沟渠。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种瓶型沟渠的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底；于该半导体衬底中形成至少一沟渠；在该沟渠中形成一离子注入掩模层，以露出该沟渠的上部侧壁表面；对该沟渠的该上部侧壁表面进行一倾斜离子注入工艺，其中注入的离子为抑制氧化掺杂；移除该离子注入掩模层，以露出该沟渠的下部侧壁表面以及底部表面；进行一热氧化工艺以形成一氧化层于该沟槽表面上，其中该氧化层位于该上部侧壁表面的厚度小于位于该下部侧壁表面以及该底部表面的厚度；及移除该上部与该下部侧壁表面、以及该底部表面的该氧化层，而形成该瓶型沟渠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
