[发明专利]半导体存储装置及检查方法无效
| 申请号: | 200510106464.1 | 申请日: | 2005-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN1770318A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
| 发明(设计)人: | 元持健治;车田希总 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34;G11C29/00;G11C29/04;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供一种半导体存储装置,具有可瞬时进行涵盖全地址空间的失效位图的确认的单元。具备如下强制控制电路中的任意一种:对由特定的地址信号所选择的内存单元的写入数据或读出数据的逻辑进行强制控制的数据逻辑强制控制电路(21),对由特定的行地址所选择的内存单元的控制,强制进行与通常动作不同的控制的特定行强制控制电路(40),对由特定的列地址所选择的内存单元的控制,强制进行与通常动作不同的控制的特定列强制控制电路(50)。该强制失效动作模式与通常动作模式可分别选择。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 存储 装置 检查 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其特征在于,具有:内存单元阵,由多个内存单元构成,上述多个内存单元由多个行地址和多个列地址进行地址标注;行选择单元,从上述多个内存单元中选择特定行的内存单元;列选择单元,从上述多个内存单元中选择特定列的内存单元;数据写入单元,向由上述行选择单元和上述列选择单元所选择的特定内存单元写入数据;数据读出单元,从上述特定内存单元中读出数据;以及数据逻辑强制控制单元,上述数据逻辑强制控制单元对由特定的地址信号选择的上述内存单元写入数据或者读出数据的逻辑进行强制控制。
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