[发明专利]通过选择性移除材料制造干涉式调制器的方法无效
| 申请号： | 200510105060.0 | 申请日： | 2005-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1769993A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 董明孝;菲利浦·D·弗洛伊德;布莱恩·W·阿巴克尔 | 申请（专利权）人： | IDC公司 |
| 主分类号： | G02F1/21 | 分类号： | G02F1/21;G02B26/00;B81C1/00;G09G3/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于制造诸如干涉式调制器的MEMS装置的方法，其包括选择性地移除一材料的牺牲部分以形成一内部空腔，留下所述材料的剩余部分以形成一支柱结构。所述材料可为覆盖层，其经沉积且经选择性地改变以界定相对于所述剩余部分可被选择性地移除的牺牲部分。或者，一材料层可被侧向陷偏离一覆盖层中的开口。这些方法可用于制造未释放和释放干涉式调制器。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 材料 制造 干涉 调制器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造一MEMS装置的方法，其包含：在一第一电极层上沉积一材料；在所述材料上形成一第二电极层；和选择性地移除所述材料的一牺牲部分以借此形成所述MEMS装置的一空腔和一支撑结构，所述支撑结构包含所述材料的一剩余部分，所述第二电极层包含一由所述支撑结构支撑的可移动层。
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