[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510103803.0 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1738070A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 具在本;徐旼彻 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;段晓玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有粘接层的有机薄膜晶体管(OTFT)和其制造方法。OTFT包括形成在衬底上的栅极、形成在栅极上和衬底的剩余暴露部分上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的粘接层、形成在粘接层上的源/漏极、和形成在源/漏极和粘接层上的半导体层。栅绝缘层和半导体层是有机的，粘接层提供源/漏极和栅绝缘膜之间的粘接、防止栅漏电流、还提高接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管(TFT)，包括：布置在衬底上的栅极；布置在栅极和衬底的暴露部分上的栅绝缘层；布置在栅绝缘层上的粘接层；布置在粘接层上的源/漏极，粘接层的暴露部分保持在源极和漏极之间；和布置在源/漏极上和粘接层的暴露部分上的半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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