[发明专利]具有布线沟道的场效应晶体管(FET)及其制造方法有效
| 申请号： | 200510103625.1 | 申请日： | 2005-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1805152A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;黎明;尹恩贞 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在场效应晶体管(FET)及其制造方法中，该FET包括，半导体衬底，形成在半导体衬底上的源区和漏区，电连接源区和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置，以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 布线 沟道 场效应 晶体管 fet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底上的源区和漏区；电连接源和漏区的多个布线沟道，多个布线沟道以两列和至少两行布置；以及围绕多个布线沟道的每一个的栅介质层，以及围绕栅介质层和多个布线沟道的每一个的栅电极。
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