[发明专利]金字塔形的电容结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200510103331.9 | 申请日： | 2005-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1832206A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 黄坤铭;汪业杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/00;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种金字塔形的电容结构及其制作方法。该电容结构具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层具有一第二面积，第二面积小于介电层的第一面积。本发明亦揭露一种制作电容结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金字塔 电容 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容结构，其特征在于其至少包括：一第一导电层；至少一介电层，位于该第一导电层上，该介电层具有一第一面积；以及一第二导电层，位于该介电层上，该第二导电层具有一第二面积，该第二面积小于该介电层的该第一面积。
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