[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200510103050.3 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1933182A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 许民庆;莫云龙 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高翔 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、通道层、源极、漏极以及欧姆接触层。其中的栅绝缘层会覆盖栅极；通道层是位于栅极上方的栅绝缘层上；源极与漏极是设置于通道层上；欧姆接触层是设置在通道层与源极及漏极之间，而此欧姆接触层是由多层膜层所构成。依据上述，本发明所披露的薄膜晶体管的欧姆接触层是由多层膜层所构成，因此当此薄膜晶体管处于关闭状态时的漏电流会比较小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：栅极；栅绝缘层，覆盖该栅极；通道层，位于该栅极上方的该栅绝缘层上；源极与漏极，设置于该通道层上；以及欧姆接触层，设置在该通道层与该源极及该漏极之间，其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司，未经中华映管股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510103050.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
