[发明专利]异质结构沟道绝缘栅极场效应晶体管的制造方法及晶体管无效
| 申请号： | 200510103014.7 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1794433A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡娜·蒙弗瑞;斯特凡恩·博雷尔;托马斯·斯克特尼科基 | 申请（专利权）人： | ST微电子（克偌林斯2）SAS公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 武玉琴;胡育昌 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅极场效应晶体管(T)，其包括窄的异质结构应变半导体沟道(4，5)，该沟道在栅极(6)和隐埋在基片(SB)中的介电块(91)之间延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 沟道 绝缘 栅极 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备绝缘栅极场效应晶体管(T)的方法，包括：a)在基片(SB)的活性区(AZ)上沉积一层(3)相对于构成活性区(AZ)的材料能选择性地除去的材料；b)在能选择性地除去的材料层(3)上形成窄的异质结构应变半导体沟道(4，5)；c)在该沟道(4，5)上形成绝缘栅极(6)；d)有选择地除去能选择性地除去的材料层(3)，以便在该沟道(4，5)下形成空腔(9)；e)在所述空腔(9)内沉积介电材料以便形成介电块(91)；以及f)从基片(SB)的活性区(AZ)形成源极区(10)和漏极区(11)，与沟道(4，5)相接并分别在其一侧延伸，于是介电块(91)被隐埋在沟道(4，5)下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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