[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510100782.7 申请日: 2005-10-26
公开(公告)号: CN1956172A 公开(公告)日: 2007-05-02
发明(设计)人: 洪肇逸;陈智豪 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12;G02F1/136;G02F1/1368
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种薄膜晶体管基板制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;依次在该绝缘基底上沉积一透明导电金属层和一栅极金属层;在一道光罩制程中形成预定图案的像素电极与栅极;在该绝缘基底、像素电极与栅极上沉积一栅极绝缘层;在该栅极绝缘层上形成具有预定图案的半导体层;在该栅极绝缘层上形成一接触孔图案;在该半导体层和该栅极绝缘层上形成源/漏极图案。本发明的制造方法采用一道光罩制程形成预定图案的像素电极与栅极,可简化制程,降低成本。本发明还提供一采用该方法制造的薄膜晶体管基板。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板制造方法,其步骤包括:在一绝缘基底上依次沉积一透明导电金属层和一栅极金属层;在该栅极金属层上沉积一光阻层;以一具有预定图案的光罩对该光阻层进行曝光和显影,形成具有预定图案的光阻层;对该透明导电金属层与栅极金属层进行蚀刻,形成具有预定图案的像素电极与栅极;去除剩余光阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510100782.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top