[发明专利]单片集成电容器

摘要

一种具可变电容及形成于SOI基材的集成电容器，包括轻度掺杂至第一掺杂形式(P)的第一区域(12)，掺杂至与该第一掺杂形式相反的第二掺杂形式(N+)及放置于该第一区域的第一侧的第二区域(13)，掺杂至该第一掺杂形式(P+)及放置于该第一区域的第二侧(其相对于该第一侧)的第三区域(14)，位于该第一区域顶部的绝缘区域(15)，及在该绝缘区域(15)顶部第四经掺杂区域(16)。该第二及第四经掺杂区域连接至第一电极(17)，及该第三区域连接至第二电极(18)。该第四经掺杂区域(16)与该第三区域(14)横向分开一距离(d)以增加该可变电容的范围。

主权项

1.一种具可变电容的单片集成电容器，包括：掺杂至第一掺杂形式(P)的第一单晶硅层区域(12)，掺杂至第二掺杂形式(N)及放置于该第一单晶硅层区域的第一侧的第二单晶硅层区域(13)，该第二掺杂形式与该第一掺杂形式相反，掺杂至该第一掺杂形式(P+)及放置于该第一单晶硅层区域的第二侧的第三单晶硅层区域(14)，该第二侧与该第一侧相反，及该第三单晶硅层区域的掺杂高于该第一单晶硅层区域的掺杂，绝缘材料的层区域(15)，位在该第一单晶硅层区域顶部，经掺杂区域(16)，位在绝缘材料的该层区域(15)顶部，该电容器的第一电极(17)，连接至该第二单晶硅层区域(13)及该经掺杂区域(16)，及该电容器的第二电极(18)，连接至该第三单晶硅层区域(14)，其特征在于该单片集成电容器形成于绝缘材料的层(11)上，及该经掺杂层区域(16)与该第三单晶硅层区域(14)横向分开一距离(d)。