[发明专利]铜化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 200510099539.8 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1931518A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李志嶽;魏詠宗;童宇诚;林俊贤;吴俊元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种铜化学机械研磨方法，适于平坦化形成于基底上的一铜金属层，且此铜金属层通常用来填满基底中的开口。这种方法是先进行第一阶段研磨，以去除铜金属层的部分厚度，其中于第一阶段研磨后，铜金属层残留于基底表面的厚度在500～4000埃之间。然后，进行第二阶段研磨，以完全去除开口以外的铜金属层。其中，可选择在不同研磨垫上进行不同阶段研磨。由于两阶段研磨步骤的关系，本发明可避免在化学机械研磨方法后有铜金属层缺漏的情形发生。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜化学机械研磨方法，适于平坦化一铜金属层，该铜金属层覆盖在具有一开口的一基底上并填满该开口，其步骤包括：进行一第一阶段研磨，以去除该铜金属层的部分厚度，其中于该第一阶段研磨后，该铜金属层残留于该基底表面的厚度在500～4000埃之间；以及进行一第二阶段研磨，以完全去除该开口以外的该铜金属层。
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