[发明专利]电荷捕捉半导体存储装置

摘要

以一半导体基板的主要表面的凹处，较佳为圆柱形凹处形成存储单元，其包含在侧壁与一栅极电极处的存储层序列，并具有与第一及第二位线以列方式连接的上及下源极/漏极区域。在所述第一及第二位线上配置有字线，其与栅极电极行连接。所述垂直晶体管结构促进所述单元的进一步收缩，并产生所需的最小有效沟道长度。

主权项

1.一种电荷捕捉半导体存储装置，包括：一半导体层或基板，其具有含一凹处的一主要表面；所述凹处垂直所述主要表面处而延伸至所述半导体层或基板中，并具有一侧壁与离所述主要表面最大距离处的一底部区域；一存储层序列，其配置在至少所述凹处侧壁的一区域中；一栅极电极，其配置在所述凹处中；一上源极/漏极区域，其位在邻近所述主要表面的侧壁的上部分；一下源极/漏极区域，其位在邻近所述底部区域的侧壁的下部分处；以及用于对所述栅极、所述上源极/漏极区域与所述下源极/漏极区域施加电压的装置。