[发明专利]用于半导体制造的部分注入方法

摘要

在此公开一种用以制造半导体装置的部分注入法。该方法包括以不同密度将掺杂剂离子注入在一晶片中藉由一分界线所界定的多个晶片区域中，其中该多个晶片区域包括第一及第二区域。在该方法中，界定第一、第二及第三注入区。该第一注入区是该第一区域除了该第一区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，该第二注入区是该第二区域除了该第二区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，以及该第三注入区是该晶片除了该第一及第二注入区以外的剩余部分。然后，以第一密度将掺杂剂离子注入该第一注入区，以不同于第一密度的第二密度将掺杂剂离子注入该第二注入区，以及以第三密度将掺杂剂离子注入该第三注入区，其中该第三密度是一在该第一与第二密度间的中间值。

主权项

1.一种部分注入法，以不同密度将掺杂剂离子注入在一晶片中藉由一分界线所界定的多个区域中，该多个区域包括第一及第二区域，该方法包括：界定一第一注入区，该第一注入区是该第一区域除了该第一区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，界定一第二注入区，该第二注入区是该第二区域除了该第二区域的靠近该分界线的一特定部分以外的剩余部分，及界定一第三注入区，该第三注入区是该晶片除了该第一及第二注入区以外的剩余部分；以及以第一密度将掺杂剂离子注入该第一注入区，以不同于第一密度的第二密度将掺杂剂离子注入该第二注入区，及以位于该第一密度与第二密度间的第三密度将掺杂剂离子注入该第三注入区。