[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510098857.2 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1747167A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 古泽健志;三浦典子;后藤欣哉;松浦正纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，其特征是：具有一个或一个以上的、在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁的密封环；所述密封环中的至少一个包含有在芯片角附近成为向内凸形状的密封环凸部。
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