[发明专利]晶圆级堆叠多芯片的封装方法有效
| 申请号： | 200510098802.1 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1925121A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 陶恕 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，包括下列步骤：提供一芯片阵列，其包含若干个独立的第一芯片，该第一芯片是由第一晶圆切割而成；提供第二晶圆，其包含若干个尚未分离的第二芯片，且第二芯片的主动表面上具有一黏着层；从该第二晶圆的芯片主动表面上将这些第二芯片预切至一深度；以该第二晶圆的芯片主动表面朝第一芯片的芯片背面堆叠，使每一个第二芯片仅与一个第一芯片堆叠；以及，从该第二晶圆的芯片背面进行薄化，以同时形成若干个单独分离的第二芯片堆叠在单独分离第一芯片上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 堆叠 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级堆叠多芯片的封装方法，其特征在于：该封装方法包括下列步骤：提供一芯片阵列，其包含若干个独立的第一芯片，该第一芯片是由第一晶圆切割而成；提供第二晶圆，其包含若干个尚未分离的第二芯片，且其芯片主动表面上具有一黏着层；从该第二晶圆的芯片主动表面将这些第二芯片预切至一深度；以该第二晶圆的芯片主动表面朝这些第一芯片的芯片背面堆叠，使每一第二芯片仅与一个第一芯片堆叠；以及从该第二晶圆的芯片背面进行薄化，以同时形成若干个单独分离的第二芯片堆叠在单独分离的第一芯片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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