[发明专利]磁电阻效应元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510098765.4 | 申请日： | 2005-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1755963A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 大卫·D.贾亚普拉维拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治 | 申请（专利权）人： | 安内华股份有限公司;产业技术总合研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 效应 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁电阻效应元件，包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，其特征在于：至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。
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