[发明专利]集成电路的热涡流改善方法及结构无效
| 申请号： | 200510098215.2 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1925142A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 庄品洋;刘明辉;黄文能 | 申请（专利权）人： | 姚立和 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 万学堂 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种集成电路的热涡流改善方法及结构，是令一晶粒在一面上形成I/O焊垫，并经由覆晶方式以该面与一基板上所设的对应焊垫电连接以构成集成电路组件，其中：该晶粒相对于具有I/O焊垫的另面上覆设一奈米薄膜，由于奈米薄膜是由金属微粒组成，具有较大表面积与微间隙，作用于晶粒的外侧面上为一理想的超导热体，可有效防止集成电路表面形成热涡流，从而具备极佳的散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 涡流 改善 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路的热涡流改善结构，其特征在于，包括有：一基板，其表面则形成有相互连接的线路及复数焊垫，各焊垫并与底面的接脚电连接；一晶粒，其一面上形成有复数的I/O焊垫，并透过覆晶方式以该面覆设于基板表面，并以该面上的I/O焊垫与基板表面的焊垫电连接；一奈米薄膜，是覆设在晶粒相对于具有I/O焊垫一面的另面上。
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