[发明专利]薄膜晶体管矩阵基板制造方法有效
| 申请号： | 200510098024.6 | 申请日： | 2005-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1731262A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李刘中 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管矩阵基板制造方法，利用第一道掩模工艺定义出栅极电极与信号电极，利用第二道掩模工艺在信道区域、栅极电极孔区域、信号电极孔区域及导线接垫区域定义出不同的光阻层厚度。利用第三道掩模工艺定义出源极、漏极、上层信号电极、像素电极、栅极电极接垫及信号电极接垫。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 矩阵 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管制造方法，适用于液晶显示面板工艺，所述方法至少包含：提供透一明基材；形成第一导体层于透明基材之上；图案化所述第一导体层以形成至少一第一导线层及至少一栅极结构，其中所述栅极结构与所述第一导线层电连接；依序沉积一第一介电层、一半导体层及一第二介电层覆盖所述透明基材及所述第一导线层；一蚀刻工艺移除位于所述栅极结构上方之外的所述第二介电层与所述半导体层以形成信道区，并移除位于所述第一导线层至少一末端上方的所述第一介电层以形成至少一开口；形成欧姆接触层于所述信道区的侧壁上；依序形成一透明导电层及一第二导体层覆盖所述第一导线层、所述欧姆接触层及所述第一介电层并填满所述开口；以及图案化所述透明导电层及所述第二导体层以定义出源/漏极于所述信道区的两侧、像素电极及第二导线层，其中所述源/漏极之一与所述像素电极电连接。
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