[发明专利]叠层磁性薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200510097939.5 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1750184A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 池田贤司;小林和义 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01F41/14 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明利用粒状膜同时实现叠层磁性薄膜的高电阻率化和高频频带中的优良软磁特性。叠层磁性薄膜10具有在基板12上使绝缘层14和粒状层16交替多次成膜而形成的叠层结构。绝缘层14由SiO2膜形成。粒状层16由FeNiSiO膜形成，绝缘体18存在于晶界之间以包覆磁性粒子20。成膜时对基板12进行加热，从而可以提高绝缘层14及绝缘体18的绝缘性而增高电阻率。另外，通过改变绝缘层14及粒状磁性层16的厚度、或磁性粒子20相对于绝缘体18的比率而使组成在规定范围内的磁性粒子20的粒径均衡化，可以抑制高电阻率化引起的磁特性劣化，同时实现高磁特性和高电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种叠层磁性薄膜的制造方法，是利用将磁性粒子包埋在绝缘体中形成的粒状膜的叠层磁性薄膜的制造方法，其特征为，使绝缘层和由所述粒状膜形成的磁性层在基板上交替多次成膜而进行叠层时，对所述基板进行加热。
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