[发明专利]形成光致抗蚀剂图案的方法无效
| 申请号： | 200510097897.5 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1924701A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 吴得鸿;张圣岳;吴承翰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种于衬底上形成光致抗蚀剂图案的方法，本方法包括于衬底上形成光致抗蚀剂层，提供光掩模且光掩模上包括主要图案以及辅助图案，进行曝光步骤，使主要图案及辅助图案转移至光致抗蚀剂层中，分别形成相对应的光致抗蚀剂主要图案和光致抗蚀剂辅助图案，以及进行紧缩步骤，去除衬底上的光致抗蚀剂辅助图案并缩小光致抗蚀剂主要图案的线宽，使光学接近效应减低，工艺窗口加大。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光致抗蚀剂 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于衬底上形成光致抗蚀剂图案的方法，该方法包括以下步骤：于衬底上形成一光致抗蚀剂层；提供一光掩模，且该光掩模上包括至少一第一主要图案以及至少一第一辅助图案；进行一曝光步骤，使该光掩模的该第一主要图案及该第一辅助图案转移至该光致抗蚀剂层中，分别形成相对应的一第二主要图案和一第二辅助图案；以及进行一紧缩步骤，去除该衬底上的该第二辅助图案并缩小该第二主要图案的线宽。
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