[发明专利]从半导体制造工艺排出气流中去除毒气组分的设备和方法无效
| 申请号： | 200510097868.9 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1748837A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | J·D·斯威尼;P·J·马根斯基;W·K·奥兰德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/04 | 分类号： | B01D53/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从半导体制造过程产生的排出气流中去除至少一种酸或氢化物气体组分或其副产物的设备和方法，该设备包含对酸或氢化物气体组分具有高容量吸附亲和力的第一吸附剂床材料，对所述气体组分具有高捕获速率吸附亲和力的第二吸附剂床材料，和将过程与各吸附剂床材料进行气流连通的流径，使排出气流经各吸附剂床以降低酸或氢化物气体组分的浓度。第一吸附剂床材料优选地是碱性铜碳酸盐，第二吸附剂床优选地是CuO、AgO、CoO、Co3O4、ZnO、MnO2的至少一种或其混合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 工艺 排出 气流 去除 毒气 组分 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从半导体制造过程产生的排出气流中去除至少一种毒气组分或其副产物的设备，其特征在于，所述设备包含：第一吸附剂床材料，它对所述至少一种毒气组分具有高容量吸附亲和力；第二吸附剂床材料，它对所述至少一种毒气组分具有高捕获速率；一种将过程中各吸附剂床材料进行气流连通的流径，使排出气流先接触第一吸附剂床材料，再接触第二吸附剂床材料，从排出气流中至少部分去除至少一种毒气组分。
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