[发明专利]电阻性内存装置，尤其是CBRAM内存无效
| 申请号： | 200510097642.9 | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755831A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | C·里亚;T·罗伊尔;M·库德 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/15;H01L27/105;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明是关于一种电阻性内存装置，其具有以行列方式建构而成的一单元数组(A)，并包含电阻性内存单元，所述电阻性内存单元与驱动用的一驱动组件(T)连接，各驱动组件(T)共同连接至形成一内存单元(Z)的n个单元电阻器(Rc)，所述单元驱动器为CBRAM电阻组件；特别是，本发明亦关于对具有CBRAM电阻组件的此一电阻性内存装置进行写入、读取及拭除的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 内存 装置 尤其是 cbram | ||
【主权项】：
1.一种电阻性内存装置，其具有以行列方式建构而成的一单元数组(A)，并包含电阻性内存单元，所述电阻性内存单元与驱动用的一驱动组件(T)连接，各驱动组件(T)共同连接至形成一内存单元(Z)的n个单元电阻器(Rc)，其特征在于：一列的所述驱动组件(T)的控制电极(G)是与运行于所述列方向的一字线(WL)共同连接，且一行的所述驱动组件(T)的第一被控制电极(D)是与运行于所述行方向的一位线(BL)共同连接，而各驱动组件(T)的第二被控制电极(S)是各与所述n个单元电阻器(Rc)的第一电极连接，每一列的所述n个胞源电阻器(Rc)的第二电极则分别与运行于所述列方向的一板线(PL1-PLn；PL11、PL12、PL13、PL14)连接。
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