[发明专利]用于在半导体器件中形成接触孔的方法无效
| 申请号： | 200510097524.8 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1885502A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 黄昌渊;李东德;崔益寿;李洪求 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种在半导体器件中形成接触孔的方法，包括：制备包括底结构的基板；形成绝缘层，使得所述绝缘层覆盖所述底结构；在所述绝缘层上形成富硅氧氮化物层；在所述富硅氧氮化物层上形成光阻剂图案；使用所述光阻剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述富硅氧氮化物层，从而获得硬掩模；以及使用所述光阻剂图案和所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以便形成暴露所述底结构的部分的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：制备具有底结构的基板；在所述基板上形成绝缘层，使得所述绝缘层覆盖所述底结构；在所述绝缘层上形成富硅氧氮化物层；在所述富硅氧氮化物层上形成光阻剂图案；使用所述光阻剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述富硅氧氮化物层，以形成硬掩模；以及使用所述光阻剂图案以及所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述绝缘层，以形成暴露所述底结构的部分的接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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