[发明专利]图像传感器无效
| 申请号： | 200510097440.4 | 申请日： | 2005-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1822376A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 金相植 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图像传感器具有在图像区域上设置的多个微透镜，其中中心设置的红像素被提供有较小的微透镜，外围设置的红像素被提供有较大的微透镜。尺寸差异防止了微红效果在输出图像中的产生，该差异总计约为5％，用以补偿图像区域上的入射光的每个波长的折射率差异。该图像传感器包括：滤色器阵列，包括用于按照波长分别滤光的滤色器，所述滤色器包括长波长滤光器；以及多个微透镜，分别形成于滤色器阵列的滤色器上，与长波长滤光器对应的微透镜具有按照相关于滤色器阵列的布置而不同的相对尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：滤色器阵列，包括用于按照波长分别滤光的滤色器，所述滤色器包括长波长滤光器；以及多个微透镜，分别形成于所述滤色器阵列的滤色器上，对应于长波长滤光器的微透镜具有按照相关于所述滤色器阵列的布置而不同的相对尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
