[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510097117.7 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1822374A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 韩昌勋 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种COMS图像传感器及其制造方法，其中，在形成微透镜的同时形成焊盘开口。该COMS图像传感器包括沉积在氧化物层上、用于钝化的氮化物层，其中，从在氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形牺牲微透镜之后，氮化物层被转移蚀刻，使氮化物层具有牺牲微透镜的微透镜结构。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种COMS图像传感器，包括：用于钝化的氮化物层，沉积在氧化物层上；其中，从在所述氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形成所述牺牲微透镜之后，所述氮化物层被转移蚀刻，以使所述氮化物层具有所述牺牲微透镜的微透镜结构，在形成所述微透镜结构的同时形成焊盘开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部亚南半导体株式会社，未经东部亚南半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510097117.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器器件
- 下一篇：用来提供一种服务的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
