[发明专利]形成具有小接触面积的相变存储器件的方法无效
| 申请号： | 200510096679.X | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1763986A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 高宽协 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供制造具有小接触面积的相变存储器件的方法。该方法包括在半导体衬底上形成下层间绝缘层，以及在下层间绝缘层内形成下导体图形。在具有下导体图形的半导体衬底上形成第一绝缘层图形，第一绝缘层图形横穿下导体图形的顶表面。在第一绝缘层图形的侧壁上形成电连接到下导体图形的导电隔片图形。在具有导电隔片图形的半导体衬底上形成第一层间绝缘层。第一层间绝缘层和导电隔片图形被平整，以形成底电极。在具有底电极的半导体衬底上形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形横穿底电极的顶表面并露出部分底电极。在第二绝缘层图形的侧壁上形成电连接到底电极的相变材料隔片。在具有相变材料隔片的半导体衬底上形成第二层间绝缘层。第二层间绝缘层和相变材料隔片被平整，以形成相变材料图形。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 接触 面积 相变 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造相变存储器件的方法，包括：在半导体衬底上形成下导体图形；在具有下导体图形的半导体衬底上形成第一绝缘层图形，第一绝缘层图形横穿下导体图形的顶表面并露出部分下导体图形；在第一绝缘层图形的侧壁上形成电连接到下导体图形的导电隔片图形；在具有导电隔片图形的半导体衬底上形成第一层间绝缘层；平整第一层间绝缘层和导电隔片图形，以形成底电极；在具有底电极的半导体衬底上形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形横穿底电极的顶表面并露出部分底电极；在第二绝缘层图形的侧壁上形成电连接到底电极的相变材料隔片；在具有相变材料隔片的半导体衬底上形成第二层间绝缘层；以及平整第二层间绝缘层和相变材料隔片，以形成相变材料图形。
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