[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510096571.0 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1841772A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 迫田恒久;山口正臣;南方浩志;杉田义博;池田和人 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/314 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。氮化硅膜16的防透膜被插置于硅衬底10与高k栅极绝缘膜18之间，由此防止高k栅极绝缘膜18被脱氧，同时在已经形成栅电极层20之后进行氧退火，由此补充氧。作为防透膜的氮化硅膜16变成氮氧化硅膜17而膜厚不变，由此能够防止由于氧损失引起的高k栅极绝缘膜18的特性退化，同时不会降低晶体管的特性。即使半导体器件的栅极绝缘膜是由高介电常数材料制成，其阈值电压也不会偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；氮氧化硅膜，其形成在该半导体衬底上；高介电常数材料制成的高介电栅极绝缘膜，其形成在该氮氧化硅膜上；栅极层，其形成在该高介电栅极绝缘膜上；以及源极区和漏极区，其形成在该半导体衬底中。
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