[发明专利]一种超微环电极及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510096451.0 申请日: 2005-12-01
公开(公告)号: CN1789997A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 蒋庄德;朱明智;景蔚萱;杨彪 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;C25B11/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 刘国智
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种超微环电极及其制备方法。首先,它是将裸光纤作为超微环电极的丝状绝缘基底,采用射频磁控溅射工艺在光纤丝状表面上沉积上一层金薄膜作为电极薄膜;接着,采用等离子体增强化学气相沉积工艺在金薄膜上再沉积氧化硅薄膜作为电极的绝缘薄膜;然后,用氢氟酸将同时被覆金薄膜和氧化硅薄膜的光纤一端的氧化硅薄膜腐蚀掉,使得该段光纤只被覆有金薄膜;采用银粉导电胶将该段光纤和铜引线相连;最后,将超微环电极的铜引线部分组装到塑料套筒内,采用光纤刀笔在被覆金薄膜和氮化硅薄膜的光纤的另一端切割出超微环电极表面。
搜索关键词: 一种 超微环 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超微环电极,包括一绝缘档块(16)、贯穿于该绝缘挡块(16)中心的丝状基底(21),所述的丝状基底(21)的圆周设有电极膜层(22),其前端(11)的电极膜层(22)外设有绝缘膜层(23),其特征是,该超微环电极还包括与绝缘挡块(16)连为一体的套筒(13)、设置在套筒(13)内的导线(14),所述的导线(14)前端凹腔与丝状基底(21)的后端(12)相吻合;所述的丝状基底(21)的前端(11)与绝缘档块(16)由树脂(15)封接。
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