[发明专利]碳/碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法无效
申请号: | 200510096313.2 | 申请日: | 2005-11-08 |
公开(公告)号: | CN1762639A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 李京龙;成来飞;张赋升;熊江涛;王忠平 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | B23K20/16 | 分类号: | B23K20/16;B23K20/02;B23K20/24 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 黄毅新 |
地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种碳/碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法,其目的是解决现有技术C/SiC复合材料本体的连接问题,包括下述步骤:C/SiC复合材料待焊面以及Ti箔和Ni箔,将Ti箔和Ni箔,组合成金属中间层Ti/Ni/Ti结构;将金属中间层Ti/Ni/Ti结构,置于两块C/SiC复合材料待焊面之间,并放置于真空扩散焊炉内上压头和下压头之间,在压头与C/SiC复合材料之间放置陶瓷阻焊层,施加预压力压实;施加焊接压力和温度,完成C/SiC复合材料本体的连接。由于采用瞬间液相扩散焊接方法,所使用的真空扩散焊炉的焊接温度为1000~1100℃,比现有技术所需温度1250~1350℃降低250℃;焊接压力为0.2~2MPa,是现有技术所需压力20MPa或30MPa的1/10,可降低C/SiC复合材料本体连接的成本。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 复合材料 瞬间 扩散 焊接 方法 | ||
【主权项】:
1、一种碳/碳化硅复合材料瞬间液相扩散焊接方法,包括下述步骤:1)打磨C/SiC复合材料待焊面,去除表面SiC层,并在无水乙醇溶剂中超声波清洗除油去污并冲刷洁净,晾干;2)取厚度为18~70μm的Ti箔两块,酸洗去除表面氧化膜,取厚度为15~60μm的Ni箔一块,在无水乙醇溶剂中超声波清洗,将经过初步处理的Ti箔和Ni箔一起在去离子水中超声波清洗冲刷洁净,晾干,组合成金属中间层Ti/Ni/Ti结构;3)将金属中间层Ti/Ni/Ti结构,置于两块C/SiC复合材料待焊面之间,并放置于真空扩散焊炉内上压头和下压头之间,在压头与C/SiC复合材料之间放置陶瓷阻焊层,施加预压力压实;4)关闭真空扩散焊炉的真空室门,抽真空至6.3×10-3Pa,施加0.2~2MPa的焊接压力,然后以5~8℃/min的速度升温至焊接温度1000~1100℃,保温20~120min,然后以3~5℃/min的速度降温至500℃后随炉冷至室温,缷压。
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