[发明专利]钼酸镧(La2Mo2O9)基中温离子导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种钼酸镧(La₂Mo₂O₉)基中温离子导体材料及其制备方法。材料化学式为(La_2－xA_x)(Mo_2－yB_y)O_9－δ，其中A、B为镧位和钼位掺杂物；方法为1)先按照 (La_2－xA_x)(Mo_2－yB_y)O_9－δ成分比，称取相应量硝酸镧[La(NO₃)₃]、镧位掺杂物、钼酸铵[(NH₄)₆Mo₇O₂₄]和钼位掺杂物配成溶液，后向其中添加柠檬酸、乙醇和水的混液后搅拌，再用硝酸调节pH值为0.5～4，加热搅拌、过滤后，加入乙二醇或聚乙二醇，继续加热搅拌成凝胶后再干燥、锻烧得纳米晶粉体；2)将其模压成坯体；3)先将坯体干燥、排胶，再将其于550～600℃下0～6小时，之后，于900～1100℃下10～14小时，或者升至780～1000℃，再降至600～780℃下20～50小时，制得晶粒尺寸为100nm～15μm的钼酸镧(La₂Mo₂O₉)基中温离子导体材料。它可于中、低温区进行实际的商业化应用。

主权项

1、一种钼酸镧(La2Mo2O9)基中温离子导体材料，其特征在于具有以下化学式组成：(La2-xAx)(Mo2-yBy)O9-δ，其中，A为镧位掺杂物，X为0.03～0.3，B为钼位掺杂物，Y为0.03～0.5。