[发明专利]高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备无效
| 申请号： | 200510094984.5 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1952210A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 邱凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备。它包括真空室(8)和其内置有的电极，以及与真空室(8)相连通的进、出气口(9，4)，特别是真空室(8)和其内置有的电极均水平设置，电极为射频电极(2)和接地电极(5)，其均为平板状且相互平行设置，射频电极(2)和接地电极(5)外套装有与其平行设置的线圈(1)，进、出气口(9，4)分置于真空室(8)的两端；所述的射频电极(2)位于接地电极(5)的上方，且其面积与接地电极(5)面积相等，所述的接地电极(5)位于射频电极(2)的上方，且其面积为射频电极(2)面积的一半。它能在真空室内的气压小于1毫乇时，仍能被正常地启辉并产生稳定的辉光放电。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 增强 化学 气相淀积 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
1、一种高密度等离子体增强化学气相淀积与刻蚀设备，包括真空室(8)和其内置有的电极，以及与真空室(8)相连通的进、出气口(9，4)，其特征在于：1.1、所说真空室(8)和其内置有的电极均水平设置；1.2、所说电极为射频电极(2)和接地电极(5)，所说射频电极(2)和接地电极(5)均为平板状且相互平行设置；1.3、所说相互平行的射频电极(2)和接地电极(5)外套装有与其平行设置的线圈(1)；1.4、所说进、出气口(9，4)分置于真空室(8)的两端。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
