[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510093771.0 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1794077A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 安炳喆;林周洙;朴丙镐 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于简化工序的薄膜晶体管基板及其制造方法。在根据本发明的液晶显示器件中，栅线设置在基板上。数据线与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜以限定像素区。薄膜晶体管包括连接到栅线的栅极、连接到数据线的源极、与源极相对的漏极以及用于限定源极和漏极之间沟道的半导体层。像素电极连接到漏极并且设置在所述像素区。在这里，所述数据线、所述源极和所述漏极具有在其上构建有源/漏金属图案和透明导电图案的双层结构。通过延伸漏极的透明导电图案形成所述像素电极。保护膜与透明导电图案接界并设置在其剩余区域。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示器件，包括：栅线，位于基板上；数据线，与所述栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜以限定像素区；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极和用于限定所述源极和所述漏极之间沟道的半导体层；以及像素电极，连接到所述漏极，其中，所述数据线、所述源极和所述漏极包括具有源漏金属图案以及透明导电图案的双层结构，通过延伸所述漏极的透明导电图案形成所述像素电极；并且保护膜与所述透明导电图案接界并位于其余区域。
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