[发明专利]多字元存储装置及其形成方法无效
| 申请号： | 200510093413.X | 申请日： | 2005-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1744328A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 朱文定;谢佳达;宋弘政 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多字元存储装置及其形成方法，所述形成半导体装置的方法，包括：形成一栅极介电层以及一栅极电极于一半导体基底上，部分地移除该栅极介电层以形成由该栅极介电层分隔的两凹处且该两凹处实质上设置于该栅极电极下方，以及利用氧化层与材料层实质上填满该两凹处以形成两隔离区，以各自容纳一电荷。本发明所述的多字元存储装置及其形成方法，可避免电荷于两区域中扩散及合并，且使形成的装置容纳多于两个电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 多字 存储 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体装置的方法，所述形成半导体装置的方法包括：形成一栅极介电层于一半导体基底上以及一栅极电极于该栅极介电层上方；部分地移除该栅极介电层以形成由该栅极介电层分隔的两凹处且该两凹处实质上设置于该栅极电极下方；以及利用氧化层与材料层实质上填满该两凹处以形成两隔离区以各自容纳电荷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510093413.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：CCFL集成电路的故障保护装置和方法
- 下一篇：微机械角加速度传感器
- 同类专利
- 专利分类
