[发明专利]在集成电路中制作低泄漏互连层的方法无效
| 申请号： | 200510093165.9 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1773691A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 钦塔马尼·帕尔苏莱;杰伊·迈耶;约翰·H·斯坦贝克;杰里米·A·泰尔;马克·D·克鲁克;柯克·A·林达尔 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种用于制作低泄漏集成电路结构的方法。将一抗反射层无中间层地直接设置在一互连导体的顶部上，并在该抗反射层上设置一介电层。该互连导体是铝；该抗反射层是氮化钛，且该抗反射层的厚度小于或等于650埃并大于或等于150埃。开制一接触窗口，该接触窗口至少向下延伸至该抗反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制作 泄漏 互连 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制作一低泄漏集成电路结构的方法，其包括：将一抗反射层无中间层地直接设置至一互连导体的顶部上，其中所述互连导体含有铝，其中所述抗反射层含有氮化钛，且其中所述抗反射层的厚度小于或等于650埃并大于或等于150埃；在所述抗反射层上设置一介电层；及开制一接触窗口，其中所述接触窗口至少向下延伸至所述抗反射层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安捷伦科技公司，未经安捷伦科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510093165.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据发送系统
- 下一篇：降低三氟化氮中二氟化二氮和四氟化二氮浓度的蒸馏方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
