[发明专利]TFT阵列试验方法以及试验装置

摘要

本发明提供一种可以抽取TFT阵列的保持电容的电容值及其不均一的试验装置。本发明可以通过以下试验方法等解决上述问题，所述试验方法是将具备驱动晶体管以及保持电容的像素配置成矩阵状的自发光型元件驱动用TFT阵列基板的试验方法，上述驱动晶体管具有由第一构造材料构成的闸极、以及由第二构造材料构成的源极以及汲极，上述保持电容具有由上述第一构造材料构成的第一电极、以及由上述第二构造材料构成的第二电极；所述试验方法包含：对上述保持电容施加第一电压的第一步骤；在上述第一步骤之后，对上述保持电容施加第二电压的第二步骤；在施加上述第二电压之后，测定流动于上述像素的电荷量的第三步骤；以及根据上述电荷量、以及上述第一电压和上述第二电压的电位差，计算上述保持电容的电容值的第四步骤。

主权项

1.一种试验方法，其特征在于：其是将像素配置成矩阵状的自发光型元件驱动用TFT阵列基板的试验方法，所述像素具备驱动晶体管，所述驱动晶体管具有由第一构造材料构成的闸极、以及由第二构造材料构成的源极以及汲极；以及保持电容，其具有由上述第一构造材料构成的第一电极、以及由上述第二构造材料构成的第二电极；且，所述试验方法包含对上述保持电容施加第一电压的第一步骤；在上述第一步骤之后，对上述保持电容施加第二电压的第二步骤；在施加上述第二电压之后，测定流动于上述像素的电荷量的第三步骤；以及根据上述电荷量、以及上述第一电压和上述第二电压的电位差，计算上述保持电容的电容值的第四步骤。